| 型号： | PMR370XN,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| PMR370XN,115 PDF |  |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 840mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 440 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.65nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 37pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 530mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装 | SC-75 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 568-6869-2 934057957115 PMR370XN T/R PMR370XN T/R-ND PMR370XN,115-ND |